盛夏已過，初秋開場

十一月的高溫環境依舊的意思不肯不散的生活也免沒辦法被復雜的工作的咒印

高壓低壓大工作效率(6500V/3000A)IGBT測試儀難？伴隨之產品要急、任務重、規范高建筑項目師們壓力差山大...

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

基于SiC與Si功能的各個，SiC MOSFET的閥值直流電流電流含有不固定性處理，在元器件公測公測整個過程中閥值直流電流電流老有顯然漂移，影響其電機械性能公測公測還有常溫柵偏實驗后的電公測公測結杲厲害信任于公測公測標準。以至于閥值直流電流電流的確切公測公測，現行政策靠得住性公測公測工藝有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通功率電阻 RDSon為決定電子器件做工作時導通耗損的一最重要特點性能指標，其標值會隨 VGS 還有T的轉變而該變。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流保養可將電壓降亦或是電壓電流禁止在SOA空間區域，避免出現配件損害或炸管。

檢驗水平：800V 恒壓 10μA 限流

測試圖片前提：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）電流值檢則用電線路將提供導通電流值側量精密度較；? SOCKET與PIN相處內阻、檢驗引線導通內阻。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，直流電壓弧形諧振；? 路線圖等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 普遍同軸電線電纜的等效電解電容與DUT并接，SMU測試時回落各種穩定可靠時間長；? 三同軸電攬等效電解電容可以說為0。

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