国产精品一区视频-国产午夜亚洲精品午夜鲁丝片-国产免费一区视频观看免费-国产一区二区在线观看视频_PMST功率器件静态参数测试系统_3500V 2000A_车规IGBT测试_IGBT导通电阻测试-武汉普赛斯仪表有限公司-普赛斯仪表国产化高精度数字源表_IGBT测试系统_高电流脉冲电源_高电压源

PMST功率器件靜態參數測試系統

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普賽斯PMST馬力元件動態數據技術性能指標測評整體，集多種各不相同校正和解析水平合二為一，能夠精準度校正各不相同封裝類形馬力元件（MOSFET、BJT、IGBT等）的動態數據技術性能指標，含有高的電壓和大工作電流大小形態、μΩ級精確度高校正、nA級工作電流大小校正水平等優勢特點。可以髙壓機制下校正馬力元件結濾波電阻（濾波電阻器），如發送濾波電阻（濾波電阻器）、輸出濾波電阻（濾波電阻器）、逆向接入濾波電阻（濾波電阻器）等。普賽斯PMST電率電子電子器件靜態變量參數設置檢驗軟件安裝有多類測量單園控制器，控制器化的結構設計檢驗方式方法協調性，也可以大程度便普通用戶加或提升測量控制器，認知測量電率電子電子器件持續不斷變遷的需要。

產品特點

● 高電壓達3500V(最大擴展至12kV)

● 大電流達6000A(多模塊(kuai)并(bing)聯)

● nA級漏電流μΩ級導通電阻

● 高精度測(ce)量0.1%

● 模塊化配置(zhi)，可添加或升級測量單元，可出具IV、CV、跨導等多實用功能(neng)的(de)結合(he)各種測試(shi)

● 測試(shi)效率高，自動切換、一(yi)鍵測試(shi)

● ; 溫(wen)度范(fan)圍廣(guang)，支(zhi)持常溫(wen)、高溫(wen)測試(shi)

● 兼容多種封裝(zhuang)，根據(ju)測試需求定(ding)制夾(jia)具

測試項目

● 二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線

● 三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

● Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/VGE(th)、IGSS/IGES柵極內阻(zu)Rg、輸(shu)入(ru)電(dian)容Ciss/Cies、輸(shu)出電(dian)容Coss/Coes、反(fan)向傳輸(shu)電(dian)容Crss/Cres、跨導(dao)gfs、輸(shu)出特性曲(qu)線、轉(zhuan)移特性曲(qu)線、C-V特性曲(qu)線

● 光(guang)耦(四(si)端(duan)口(kou)以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸(shu)入電(dian)容(rong)CT、輸(shu)出(chu)電(dian)容(rong)CCE、電(dian)流傳輸(shu)比CTR、隔離電(dian)容(rong)CIO

系統優勢

1、IGBT等大功率(lv)(lv)器(qi)件由于其功率(lv)(lv)特點極易產生大量熱量，施加應力時間長，溫度迅速上升，嚴重時會(hui)使(shi)器(qi)件損壞，且不符合器(qi)件工作特性。普(pu)賽斯(si)高(gao)壓電(dian)輸出模(mo)塊加入(ru)的時段(duan)需小于5ms，在(zai)測量的過程中會(hui)縮短待測物加電(dian)時段(duan)的發(fa)高(gao)燒(shao)。

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2、髙(gao)壓下(xia)漏電流(liu)的公測(ce)(ce)英文效果無(wu)可挑剔，公測(ce)(ce)英文遍及率更為重(zhong)要亞太國產品牌。市面上(shang)絕大多數器件(jian)的規(gui)格書(shu)顯示(shi)，小模塊在高溫測(ce)(ce)試(shi)(shi)時(shi)漏電流(liu)一般大于5mA，而車(che)規(gui)級三相(xiang)半橋高溫下(xia)漏電大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規(gui)格書(shu)為例(li)：3300V，125℃測(ce)(ce)試(shi)(shi)條件(jian)下(xia)ICES典(dian)型值(zhi)14mA，最大40mA。普(pu)賽斯靜態系統(tong)高壓模塊測(ce)(ce)試(shi)(shi)幾乎(hu)可以完美應(ying)對所有類(lei)型器件(jian)的漏電流(liu)測(ce)(ce)試(shi)(shi)需求(qiu)。

3、與此一起，VCE(sat)各種測試是定量分析 IGBT 導通耗電量的基本技術參數，對電開關耗電量都是有一定的引響。要求的使用極速窄脈寬造成的交流電源，脈寬造成的上升的沿加速度要滿足快時才變小配件發冷，一起裝置要求有微信同步取樣相電壓工作。

IGBT外部檢(jian)查軟件(jian)系(xi)統(tong)的(de)大(da)瞬時電流量板塊：50us—500us 的(de)能調瞬時電流量脈寬，增加(jia)邊沿在(zai) 15us(主要(yao)值)，削減(jian)待測(ce)物在(zai)檢(jian)查軟件(jian)環節中(zhong)的(de)發熱的(de)原因，使檢(jian)查軟件(jian)然而變(bian)得更加(jia)準確(que)的(de)。下(xia)圖為 1000A 波形：

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4、迅速機靈的客制(zhi)化工(gong)裝(zhuang)(zhuang)夾(jia)具滿足方法：強大的測(ce)試夾(jia)具解決方案(an)對于保(bao)證操作人員安(an)全和支持各種(zhong)功率器件(jian)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)類(lei)(lei)型極(ji)為重要。不論(lun)器件(jian)的大小或形狀如(ru)何，普賽斯均可以快速響(xiang)應用戶需(xu)求，提供靈活的客制(zhi)化夾(jia)具方案(an)。夾(jia)具具有低阻抗(kang)、安(an)裝(zhuang)(zhuang)簡(jian)單(dan)、種(zhong)類(lei)(lei)豐富等特點，可用于二極(ji)管、三極(ji)管、場效應晶(jing)體(ti)管、IGBT、SiC MOS、GaN等單(dan)管，模組類(lei)(lei)產品的測(ce)試。

產品選型

項目	最大電壓	最大電流	精度	漏電流測試量程
集電級-釋放極	3500V	6000A	0.1%	1μA-100mA

項目	最大電壓	最大電流	精度	最小電流量程
柵極-發極	300V	1A(整流)/10A(脈沖造成的)	0.1%	10nA

項目	基本測試精度	頻率范圍	電容值范圍
電容器軟件測試	0.05%	0.05%	0.01pF-9.9999F

PMST最大功率元件靜態數據軟件系統各種不同規格為配資款式參閱：

型號	大電流源測單元規格	大電流源測單元數量	高壓源測單元規格	高壓源測單元數量	最大電壓/電流
PMST1203	300A/30V	1	1200V/100mA	1	1200V/300A
PMST1210	1000A/18V	1	1200V/100mA	1	1200V/1000A
PMST2210	1000A/18V	1	2200V/100mA	1	2200V/1000A
PMST3510	1000A/18V	1	3500V/100mA	1	3500V/1000A
PMST3520	1000A/18V	2	3500V/100mA	1	3500V/2000A
PMST8030	1000A/18V	3	8000V/100mA	1	8000V/3000A